太赫兹相机

产品介绍：

　　在标准半导体周期中使用常规光学光刻由GaAs高迁移率异质结构制造检测器。成像传感器在在单个晶片上。 该过程确保等离子体检测器参数的高均匀性和再现性（像素到像素偏差响应度在20％范围内）。 每个单位检测器在10 GHz - 1 THz频率范围内具有可达50 kV / W的室温响应能力，带有读出电路和噪声等效功率1 nW / Hz0.5。 检测机制是基于入射THz辐射转换成二维电子系统（2DES）等离子体振荡。 然后根据缺陷区域中2DES电子密度的不均匀性对等离子体波进行校正。

产品参数：

注：如需详细规格参数资料，或有其他要求，请联系我们。

主要应用：

太赫兹成像