产品介绍：
在标准半导体周期中使用常规光学光刻由GaAs高迁移率异质结构制造检测器。成像传感器在在单个晶片上。 该过程确保等离子体检测器参数的高均匀性和再现性（像素到像素偏差响应度在20％范围内）。 每个单位检测器在10 GHz - 1 THz频率范围内具有可达50 kV / W的室温响应能力，带有读出电路和噪声等效功率1 nW / Hz0.5。 检测机制是基于入射THz辐射转换成二维电子系统（2DES）等离子体振荡。 然后根据缺陷区域中2DES电子密度的不均匀性对等离子体波进行校正。
产品参数：
型号 | Tera-256 | Tera-1024 | Tera-4096 |
像素 | 256（16×16） | 1024（32×32） | 4096（64×64） |
像素尺寸 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 |
响应度 | 50kv/W | 50kv/W | 50kv/W |
噪声等效功率 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 |
设备尺寸 | 12×12×4cm | 12×12×4cm | 12×12×4cm |
注：如需详细规格参数资料，或有其他要求，请联系我们。
主要应用：
太赫兹成像
