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2020-03-14
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铌酸锂晶体(LiNbO3)
品牌厂家: 英国古奇·休斯古公司(GOOCH & HOUSEGO)
联系方式: 18802073635
产品经理: 王经理
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产品介绍:

G&H的电光Q开关采用了最高光学品质铌酸锂。铌酸锂的光电效应使其对几种激光类型的普克尔盒Q开关上具有极其重要的作用(包括: Nd:YAG、Nd:YALO、Nd:YLF和Er:YLF)。

G&H的晶体提供低损耗,高对比度,低波前畸变,并满足300MW/cm2的使用条件。温度稳定(TS和XTS)版本的电光铌酸锂Q开关允许在大范围的温度下工作,同时保持良好的对比度。铌酸锂晶体Q开关可同时用于军事和商业应用,包括目标位置传送系统、激光测距和眼科手术。当使用在垂直于光轴或Z轴的横向电场上时,铌酸锂能够在一个较大的温度范围内表现出高消光比、极低传输损耗、低开关电压和恒温的特性。这些晶体的特性,结合基于铌酸锂晶体的生长及优良的抗反射(AR)镀膜方面的专业知识,使其成为军用加固、工业应用中的理想选择。

恒温(TS)铌酸锂电光Q开关允许用户在较大的温度范围内操作的同时维持良好的对比度。普通级别的铌酸锂电光Q开关在热释电电荷遇冷积聚时,可能会导致过早的激光冷却。在TS版本的电光Q开关中,热释电荷会在改良过的铌酸锂的一个薄表层中消散,使其导电,从而避免了放射性电离源的使用。

电光调Q开关可用于调节激光腔内的损耗,以产生高强度的脉冲激光。当电磁场作用于具有光电活性的晶体,如铌酸锂晶体(LN)时,折射率的变化与电场成正比,即所谓的Pockels效应。通过活性晶体的光会经历与相互作用长度成比例的相位变化,从而改变其极化。通过将晶体置于一对交叉偏振器之间,光可以以非常快的开关速度通过或阻挡。这使得铌酸锂晶体常被用来创建一个Pockels Cell来调节激光腔内的光强度,以实现Q开关和产生非常短的、强烈的激光脉冲。一个高质量的EO Q开关有几个重要的特点:

l   非常低的损耗在“关闭”状态,以最大限度地提高输出强度

l   开”和“关”状态的高对比度

l   能够承受非常高的峰值激光功率

产品参数:

产品型号

波长

损伤阈值

尺寸

消光比

波前畸变

7100-2

1064nm

200MW/cm2

9   - x9 x25mm

>20   1 @ 633nm

lambda/8   @ 633 nm

7100-11A

1064nm

300MW/cm2

9   - x9 x25mm

>20   1 @ 633nm

lambda/8   @ 633 nm

7100-4

1064nm

300MW/cm2

7.4   x 7.4 x 21mm

>20   1 @ 633nm

lambda/8   @ 633 nm

注:如需详细规格参数资料,或有其他要求,请联系我们。
主要应用:

•电光Q、测距仪、目标指示器等。


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